ALD科研型设备(A100-LT)

反应腔体

低温横流模式的单腔反应室

衬底规格

兼容单片 300x400mm及以下尺寸; RT~200℃,控制精度±1

主要沉积材料及应用

AlO & SnO等常见氧化物;适用于钙钛矿太阳能电池钝化层等

前驱体源

气态、液态、固态以及臭氧源,源瓶为标准50 mL挥发式容器和100 mL载气辅助式容器,其他规格可定制。

前驱体输运管路

配备完全独立的前驱体源管路,每路前驱体源都是以独立的流量计进入反应腔。

源瓶及管路加热系统

配独立可拆卸加热套,RT~200℃,控制精度±1℃

阀门

专用ALD阀门(耐热150℃),源瓶手动阀(耐热200℃)

载气

氮气或氩气,质量流量计流量控制范围0-200 sccm

真空系统

标准油泵(配有油雾粉尘过滤器), 真空泵抽气速率:≥18L/s

压力传感器

0.005Torr - 1000Torr

控制系统

触摸屏+微机控制系统,全自动控制软件,控制加热、流量等全部沉积过程,以及温度、脉冲阀门等全过程记录,还支持工艺参数存储和调用功能。

生长均匀性

8英寸晶圆上沉积100 nm Al₂O₃,上、下、左、右、中心五点测试厚度,标准偏差≤±1%。

机柜

可移动铝型材框架,不锈钢面板

尺寸:1830*630*1280 mm

选配

臭氧发生器/手套箱/尾气处理装置/前驱体剩余量提醒

ALD科研型设备(A100-HT)

反应腔体

高温横流模式的单腔反应室

衬底规格

4-12寸单片;RT~350℃,控制精度±1℃

主要沉积材料及应用

一般氧化物(HfO₂、HZO、SiO₂等)和氮化物(TiN等)为主,金属(Ni, Co等)也可以实现沉积;适用于各类半导体器件功能层、绝缘层、钝化层以及其他领域薄膜沉积需求。

前驱体源

气态、液态、固态以及臭氧源,源瓶为标准50 mL挥发式容器和100 mL载气辅助式容器,其他规格可定制。

前驱体输运管路

配备完全独立的前驱体源管路,每路前驱体源都是以独立的流量计进入反应腔。

源瓶及管路加热系统

配独立可拆卸加热套,RT~200℃,控制精度±1℃

阀门

专用ALD阀门(耐热150℃),源瓶手动阀(耐热200℃)

载气

氮气或氩气,质量流量计流量控制范围0-200 sccm

真空系统

标准油泵(配有油雾粉尘过滤器), 真空泵抽气速率:≥18L/s

压力传感器

0.005Torr - 1000Torr

控制系统

触摸屏+微机控制系统,全自动控制软件,控制加热、流量等全部沉积过程,以及温度、脉冲阀门等全过程记录,还支持工艺参数存储和调用功能。

生长均匀性

8英寸晶圆上沉积100 nm Al₂O₃,上、下、左、右、中心五点测试厚度,标准偏差≤±1%。

机柜

可移动铝型材框架,不锈钢面板

尺寸:1830*630*1280 mm

选配

臭氧发生器/手套箱/尾气处理装置/前驱体剩余量提醒

ALD科研型设备(A100-D)

反应腔体

热壁双腔反应室

衬底规格

尺寸可定制;RT~350℃,控制精度±1℃,支持低温生长

主要沉积材料及应用

一般氧化物(HfO₂、HZO、SiO₂等)和氮化物(TiN等)为主,金属(Ni, Co等)也可以实现沉积;适用于各类半导体器件功能层、绝缘层、钝化层以及其他领域薄膜沉积需求。

前驱体源

气态、液态、固态以及臭氧源,源瓶为标准50 mL挥发式容器和100 mL载气辅助式容器,其他规格可定制。

前驱体输运管路

配备完全独立的前驱体源管路,每路前驱体源都是以独立的流量计进入反应腔

源瓶及管路加热系统

配独立可拆卸加热套,RT~200℃,控制精度±1℃

阀门

专用ALD阀门(耐热150℃),源瓶手动阀(耐热200℃)

载气

氮气或氩气,质量流量计流量控制范围0-200 sccm

真空系统

标准油泵(配有油雾粉尘过滤器), 真空泵抽气速率:≥18L/s

压力传感器

0.005Torr - 1000Torr

控制系统

触摸屏+微机控制系统,全自动控制软件,控制加热、流量等全部沉积过程,以及温度、脉冲阀门等全过程记录,还支持工艺参数存储和调用功能

生长均匀性

6英寸晶圆上沉积100 nm Al₂O₃,上、下、左、右、中心五点测试厚度,标准偏差≤±1%

机柜

可移动铝型材框架,不锈钢面板

尺寸:1830*630*1280 mm

选配

臭氧发生器/手套箱/尾气处理装置/前驱体剩余量提醒

粉体ALD设备(A100-P)

反应腔体

热壁反应室, 定制化腔体

样品规格

粉体;RT~350℃,控制精度±1℃,支持低温生长

主要沉积材料及应用

一般氧化物(TiO₂、Al₂O₃等)和氮化物(TiN等)为主,适用于各种催化剂表面改性,电池电极涂层,医疗粉末制剂等

前驱体源

气态、液态、固态以及臭氧源,源瓶为标准50 mL挥发式容器和100 mL载气辅助式容器,其他规格可定制

前驱体输运管路

配备完全独立的前驱体源管路,每路前驱体源都是以独立的流量计进入反应腔

源瓶及管路加热系统

配独立可拆卸加热套,RT~200℃,控制精度±1℃

阀门

专用ALD阀门(耐热150℃),源瓶手动阀(耐热200℃)

载气

氮气或氩气,质量流量计流量控制范围0-200 sccm

真空系统

标准油泵(配有油雾粉尘过滤器), 真空泵抽气速率:≥18L/s

压力传感器

0.005Torr - 1000Torr

控制系统

触摸屏+微机控制系统,全自动控制软件,控制加热、流量等全部沉积过程,以及温度、脉冲阀门等全过程记录,还支持工艺参数存储和调用功能

生长均匀性

批次包覆均匀性<±3%,精度可达原子级别

机柜

可移动铝型材框架,不锈钢面板

尺寸:1830*630*1280 mm

选配

臭氧发生器/手套箱/尾气处理装置/前驱体剩余量提醒

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