ALD科研型设备(A100-LT)
反应腔体 |
低温横流模式的单腔反应室 |
衬底规格 |
兼容单片 300x400mm及以下尺寸; RT~200℃,控制精度±1 |
主要沉积材料及应用 |
Al₂O₃ & SnO等常见氧化物;适用于钙钛矿太阳能电池钝化层等 |
前驱体源 |
气态、液态、固态以及臭氧源,源瓶为标准50 mL挥发式容器和100 mL载气辅助式容器,其他规格可定制。 |
前驱体输运管路 |
配备完全独立的前驱体源管路,每路前驱体源都是以独立的流量计进入反应腔。 |
源瓶及管路加热系统 |
配独立可拆卸加热套,RT~200℃,控制精度±1℃ |
阀门 |
专用ALD阀门(耐热150℃),源瓶手动阀(耐热200℃) |
载气 |
氮气或氩气,质量流量计流量控制范围0-200 sccm |
真空系统 |
标准油泵(配有油雾粉尘过滤器), 真空泵抽气速率:≥18L/s |
压力传感器 |
0.005Torr - 1000Torr |
控制系统 |
触摸屏+微机控制系统,全自动控制软件,控制加热、流量等全部沉积过程,以及温度、脉冲阀门等全过程记录,还支持工艺参数存储和调用功能。 |
生长均匀性 |
8英寸晶圆上沉积100 nm Al₂O₃,上、下、左、右、中心五点测试厚度,标准偏差≤±1%。 |
机柜 |
可移动铝型材框架,不锈钢面板 尺寸:1830*630*1280 mm |
选配 |
臭氧发生器/手套箱/尾气处理装置/前驱体剩余量提醒 |
ALD科研型设备(A100-HT)
反应腔体 |
高温横流模式的单腔反应室 |
衬底规格 |
4-12寸单片;RT~350℃,控制精度±1℃ |
主要沉积材料及应用 |
一般氧化物(HfO₂、HZO、SiO₂等)和氮化物(TiN等)为主,金属(Ni, Co等)也可以实现沉积;适用于各类半导体器件功能层、绝缘层、钝化层以及其他领域薄膜沉积需求。 |
前驱体源 |
气态、液态、固态以及臭氧源,源瓶为标准50 mL挥发式容器和100 mL载气辅助式容器,其他规格可定制。 |
前驱体输运管路 |
配备完全独立的前驱体源管路,每路前驱体源都是以独立的流量计进入反应腔。 |
源瓶及管路加热系统 |
配独立可拆卸加热套,RT~200℃,控制精度±1℃ |
阀门 |
专用ALD阀门(耐热150℃),源瓶手动阀(耐热200℃) |
载气 |
氮气或氩气,质量流量计流量控制范围0-200 sccm |
真空系统 |
标准油泵(配有油雾粉尘过滤器), 真空泵抽气速率:≥18L/s |
压力传感器 |
0.005Torr - 1000Torr |
控制系统 |
触摸屏+微机控制系统,全自动控制软件,控制加热、流量等全部沉积过程,以及温度、脉冲阀门等全过程记录,还支持工艺参数存储和调用功能。 |
生长均匀性 |
8英寸晶圆上沉积100 nm Al₂O₃,上、下、左、右、中心五点测试厚度,标准偏差≤±1%。 |
机柜 |
可移动铝型材框架,不锈钢面板 尺寸:1830*630*1280 mm |
选配 |
臭氧发生器/手套箱/尾气处理装置/前驱体剩余量提醒 |
ALD科研型设备(A100-D)
反应腔体 |
热壁双腔反应室 |
衬底规格 |
尺寸可定制;RT~350℃,控制精度±1℃,支持低温生长 |
主要沉积材料及应用 |
一般氧化物(HfO₂、HZO、SiO₂等)和氮化物(TiN等)为主,金属(Ni, Co等)也可以实现沉积;适用于各类半导体器件功能层、绝缘层、钝化层以及其他领域薄膜沉积需求。 |
前驱体源 |
气态、液态、固态以及臭氧源,源瓶为标准50 mL挥发式容器和100 mL载气辅助式容器,其他规格可定制。 |
前驱体输运管路 |
配备完全独立的前驱体源管路,每路前驱体源都是以独立的流量计进入反应腔 |
源瓶及管路加热系统 |
配独立可拆卸加热套,RT~200℃,控制精度±1℃ |
阀门 |
专用ALD阀门(耐热150℃),源瓶手动阀(耐热200℃) |
载气 |
氮气或氩气,质量流量计流量控制范围0-200 sccm |
真空系统 |
标准油泵(配有油雾粉尘过滤器), 真空泵抽气速率:≥18L/s |
压力传感器 |
0.005Torr - 1000Torr |
控制系统 |
触摸屏+微机控制系统,全自动控制软件,控制加热、流量等全部沉积过程,以及温度、脉冲阀门等全过程记录,还支持工艺参数存储和调用功能 |
生长均匀性 |
6英寸晶圆上沉积100 nm Al₂O₃,上、下、左、右、中心五点测试厚度,标准偏差≤±1% |
机柜 |
可移动铝型材框架,不锈钢面板 尺寸:1830*630*1280 mm |
选配 |
臭氧发生器/手套箱/尾气处理装置/前驱体剩余量提醒 |
粉体ALD设备(A100-P)
反应腔体 |
热壁反应室, 定制化腔体 |
样品规格 |
粉体;RT~350℃,控制精度±1℃,支持低温生长 |
主要沉积材料及应用 |
一般氧化物(TiO₂、Al₂O₃等)和氮化物(TiN等)为主,适用于各种催化剂表面改性,电池电极涂层,医疗粉末制剂等 |
前驱体源 |
气态、液态、固态以及臭氧源,源瓶为标准50 mL挥发式容器和100 mL载气辅助式容器,其他规格可定制 |
前驱体输运管路 |
配备完全独立的前驱体源管路,每路前驱体源都是以独立的流量计进入反应腔 |
源瓶及管路加热系统 |
配独立可拆卸加热套,RT~200℃,控制精度±1℃ |
阀门 |
专用ALD阀门(耐热150℃),源瓶手动阀(耐热200℃) |
载气 |
氮气或氩气,质量流量计流量控制范围0-200 sccm |
真空系统 |
标准油泵(配有油雾粉尘过滤器), 真空泵抽气速率:≥18L/s |
压力传感器 |
0.005Torr - 1000Torr |
控制系统 |
触摸屏+微机控制系统,全自动控制软件,控制加热、流量等全部沉积过程,以及温度、脉冲阀门等全过程记录,还支持工艺参数存储和调用功能 |
生长均匀性 |
批次包覆均匀性<±3%,精度可达原子级别 |
机柜 |
可移动铝型材框架,不锈钢面板 尺寸:1830*630*1280 mm |
选配 |
臭氧发生器/手套箱/尾气处理装置/前驱体剩余量提醒 |
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- 2021-04-16
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